可行性研究報告/項目建議書
■服務內容
? ?根據國家或(huo)相(xiang)關部門深度(du)及格式(shi)要求，編制(zhi)可研(yan)報告，滿足項目立項或(huo)其他行(xing)政審(shen)批等(deng)需求。
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■典型案例
（1）項目案例1
? 項(xiang)目(mu)名稱：12英(ying)寸(cun)集(ji)成(cheng)電路模擬特(te)色(se)工藝生產線項(xiang)目(mu)（三、四期）
? 建(jian)設(she)單位：廣州粵芯(xin)半(ban)導體技術有限公(gong)司(si)
? 建設(she)地點：廣(guang)州市黃埔區中新廣(guang)州知(zhi)識城
? 項目總用(yong)地面(mian)積(ji)：285328平方米
? 生(sheng)產(chan)規(gui)模：三期項(xiang)目(mu)重點是工(gong)藝平(ping)臺(tai)(tai)(tai)質量規(gui)格的精進(jin)，在(zai)(zai)已有的技術平(ping)臺(tai)(tai)(tai)基礎上(shang)打(da)造工(gong)業級和(he)車規(gui)級模擬特色工(gong)藝平(ping)臺(tai)(tai)(tai)，實(shi)現(xian)新增月(yue)(yue)產(chan)能(neng)4萬(wan)片(pian)，滿足目(mu)前巨大產(chan)能(neng)需求的同(tong)時提升產(chan)品的質量及(ji)經濟效益(yi)；四(si)期項(xiang)目(mu)重點打(da)造更(geng)先進(jin)的55-28nm高(gao)端模擬特色工(gong)藝平(ping)臺(tai)(tai)(tai)，新增月(yue)(yue)產(chan)能(neng)4萬(wan)片(pian)，實(shi)現(xian)高(gao)可靠性工(gong)業級及(ji)車規(gui)級芯(xin)(xin)片(pian)的制造能(neng)力(li)。三、四(si)期建設全部完成投產(chan)后，連同(tong)一(yi)期、二期產(chan)能(neng)將實(shi)現(xian)月(yue)(yue)產(chan)近12萬(wan)片(pian)12英寸(cun)晶圓(yuan)的高(gao)端模擬芯(xin)(xin)片(pian)制造產(chan)能(neng)規(gui)模，其中工(gong)業級和(he)車規(gui)級芯(xin)(xin)片(pian)生(sheng)產(chan)能(neng)力(li)占比(bi)約為40%，實(shi)現(xian)在(zai)(zai)TMOS/SGT、MS、BCD、eNVM、CIS等(deng)多(duo)個工(gong)藝平(ping)臺(tai)(tai)(tai)上(shang)，量產(chan)應(ying)用于電(dian)力(li)電(dian)子，伺服(fu)器(qi)/5G基站(zhan)及(ji)汽車電(dian)子的功(gong)率器(qi)件芯(xin)(xin)片(pian)、信號鏈芯(xin)(xin)片(pian)、電(dian)源(yuan)管(guan)理芯(xin)(xin)片(pian)、微控制器(qi)芯(xin)(xin)片(pian)及(ji)圖像傳感(gan)器(qi)等(deng)多(duo)種產(chan)品。
（2）項目案例2
? 項(xiang)(xiang)目名稱：12英(ying)寸顯示(shi)驅(qu)動高端定制晶(jing)圓生產線項(xiang)(xiang)目
? 建設單位(wei)：珠海橫琴(qin)方瑞聯合(he)半導(dao)體(ti)有(you)限責(ze)任公司
? 建(jian)設地點：珠海市橫琴(qin)新區（橫琴(qin)島(dao)）
? 項(xiang)目(mu)總用地面積：約350畝
生(sheng)產規模：加(jia)工(gong)12英寸晶(jing)圓(yuan)3萬片(pian)/月(yue)。本項目專注于打造高(gao)(gao)端(duan)(duan)顯示(shi)屏驅動芯(xin)片(pian)之專業晶(jing)圓(yuan)代工(gong)生(sheng)產線，以國內(nei)高(gao)(gao)端(duan)(duan)顯示(shi)面板(ban)供應(ying)(ying)鏈為(wei)主要(yao)服務對象、并(bing)以28nm、40nm、55nm之高(gao)(gao)壓制程（28V – 32V）為(wei)主要(yao)工(gong)藝產品，應(ying)(ying)用于中小尺(chi)寸手機用FHD解析度之OLED屏之驅動芯(xin)片(pian)、及TDDI整(zheng)合型芯(xin)片(pian)。此外，28nm、40nm、55nm節點之工(gong)藝亦可應(ying)(ying)用于筆(bi)記(ji)本電腦與LCD顯示(shi)器之T-CON芯(xin)片(pian)（Timing Controller，時序控制芯(xin)片(pian)）及智能(neng)手機用高(gao)(gao)端(duan)(duan)CMOS影像傳(chuan)感器（CIS）。
（3）項目案例3
? 項(xiang)目(mu)名稱：面向新能源汽車及(ji)相(xiang)關(guan)應(ying)用(yong)領域碳化硅晶圓芯片制造項(xiang)目(mu)
? 建設(she)單位：廣(guang)東芯粵能(neng)半導體有(you)限(xian)公司
? 建設地點(dian)：廣(guang)州市南沙區
? 項目總(zong)用地(di)面(mian)積：100000 平方米(mi)，約(yue)150畝(mu)。
? 生產規(gui)模：一(yi)階段——年產24萬片6英(ying)寸(cun)碳化硅晶(jing)(jing)圓(yuan)芯片；二(er)階段——年產24萬片8英(ying)寸(cun)碳化硅晶(jing)(jing)圓(yuan)芯片。本(ben)項目(mu)產品為(wei)(wei)碳化硅（SiC）晶(jing)(jing)圓(yuan)芯片，主(zhu)要產品尺寸(cun)為(wei)(wei)6英(ying)寸(cun)和(he)8英(ying)寸(cun)。產品定位(wei)為(wei)(wei)汽車(che)電子級(ji)，工業級(ji)和(he)消費級(ji)。主(zhu)要目(mu)標市(shi)場新能源(yuan)汽車(che)，工業電網，太陽能領(ling)域。
（4）項目案例4
? 項目名稱：屹唐半導(dao)體集成(cheng)電(dian)路裝(zhuang)備研發制造服務中心項目
? 建設單位：北京(jing)屹唐半導體科技有限公(gong)司
? 建設地(di)點：北京經濟技(ji)術(shu)開發區
? 項目總(zong)用地面積(ji)：39596.7平方米，約合59.4畝。
? 生(sheng)(sheng)(sheng)產(chan)規(gui)模：本項目擬建設(she)(she)干法刻蝕設(she)(she)備(bei)(bei)(bei)(bei)、去膠(jiao)設(she)(she)備(bei)(bei)(bei)(bei)、快(kuai)(kuai)速(su)退火設(she)(she)備(bei)(bei)(bei)(bei)和毫(hao)秒級快(kuai)(kuai)速(su)退火設(she)(she)備(bei)(bei)(bei)(bei)組(zu)裝及測試生(sheng)(sheng)(sheng)產(chan)線(xian)，所生(sheng)(sheng)(sheng)產(chan)的設(she)(she)備(bei)(bei)(bei)(bei)主要為全球12英(ying)寸(cun)晶(jing)圓廠客(ke)戶(hu)提供設(she)(she)備(bei)(bei)(bei)(bei)及技術支(zhi)持，設(she)(she)備(bei)(bei)(bei)(bei)產(chan)能為300臺/年。
■通過國家級審核的重大項目
